ROHM Type N-Channel MOSFET, 39 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT RQ3P300BHTB1

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

2 601,00 €

(TVA exclue)

3 147,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Informations sur le stock actuellement non accessibles - Veuillez vérifier plus tard
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,867 €2 601,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
235-2774
Référence fabricant:
RQ3P300BHTB1
Fabricant:
ROHM
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

39A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

HSMT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

15.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

0.85 mm

Standards/Approvals

No

Height

3.4mm

Length

3.15mm

Automotive Standard

No

The ROHM N channel power MOSFET with low on state resistance has drain to source voltage of 100 V. It is Ideal for switching purpose.

Small surface mount package

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Liens connexes