Références fabricant

ROHM N-Channel MOSFET, 39 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT RQ3P300BHTB1

N° de stock RS:: 235-2774
Référence fabricant:: RQ3P300BHTB1
Fabricant:: ROHM

ROHM N-Channel MOSFET, 39 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT RQ3P300BHTB1

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 235-2774
Référence fabricant:: RQ3P300BHTB1
Fabricant:: ROHM

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ROHM
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	39 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	100 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	8
	Package Type	HSMT
	Automotive Standard	No
	Forward Voltage (Vf)	1.2 V
	Height	3.4 mm
	Length	3.15 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	15.5 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	20 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	2 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Standards/Approvals	No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs	36 nC
	Width	850 μm

	Sélectionner tout
	Marque ROHM
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 39 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 100 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 8
	Package Type HSMT
	Automotive Standard No
	Forward Voltage (Vf) 1.2 V
	Height 3.4 mm
	Length 3.15 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 15.5 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 20 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 2 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Standards/Approvals No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 36 nC
	Width 850 μm

Datasheet - RQ3P300BHTB1

The ROHM N channel power MOSFET with low on state resistance has drain to source voltage of 100 V. It is Ideal for switching purpose.

Small surface mount package

Pb-free lead plating

RoHS compliant

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