ROHM Type N-Channel MOSFET, 3 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R8003KNXC7G

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Référence fabricant:
R8003KNXC7G
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-220FM

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.8Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

36W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.3mm

Width

5 mm

Standards/Approvals

No

Height

29.87mm

Automotive Standard

No

The ROHM R8xxxKNx series are high-speed switching products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on high efficiency. It achieve higher efficiency via high-speed switching. High-speed switching makes it possible to contribute to higher efficiency in PFC and LLC circuits.

Low on-resistance

Ultra fast switching speed

Parallel use is easy

Pb-free plating

RoHS compliant

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