ROHM R80 Type N-Channel MOSFET, 19 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R8019KNXC7G

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264-561
Référence fabricant:
R8019KNXC7G
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-220FM

Series

R80

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.265Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

65nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The ROHM 800V 19A power MOSFET in a TO-220FM package is a high-speed switching super junction MOSFET designed for high efficiency. It enables improved performance in PFC and LLC circuits by achieving higher efficiency through high-speed switching.

Low on-resistance

Fast switching

Parallel use is easy

Pb-free lead plating and RoHS compliant

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