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ROHM R6012JNX Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6012JNXC7G

N° de stock RS:: 185-1232
Référence fabricant:: R6012JNXC7G
Fabricant:: ROHM

ROHM R6012JNX Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6012JNXC7G

Sous-total (1 tube de 100 unités)*

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N° de stock RS:: 185-1232
Référence fabricant:: R6012JNXC7G
Fabricant:: ROHM

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ROHM
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	R6012JNX
	Package Type	TO-220FM
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	390mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	60W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	28nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	5mm
	Length	10.3mm
	Height	16.27mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque ROHM
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series R6012JNX
	Package Type TO-220FM
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 390mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 60W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 5mm
	Length 10.3mm
	Height 16.27mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet R6012JNXC7G

R6012JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.

Fast reverse recovery time (trr)

Low on-resistance

Fast switching speed

Drive circuits can be simple

Pb-free plating , RoHS compliant

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