Références fabricant

ROHM N-Channel MOSFET, 1.6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R8002KNXC7G

N° de stock RS:: 235-2697
Référence fabricant:: R8002KNXC7G
Fabricant:: ROHM

ROHM N-Channel MOSFET, 1.6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R8002KNXC7G

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 235-2697
Référence fabricant:: R8002KNXC7G
Fabricant:: ROHM

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	ROHM
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	1.6 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	800 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	3
	Package Type	TO-220FM
	Automotive Standard	No
	Height	29.87 mm
	Length	10.3 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	4.2 Ω
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	20 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	28 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Through Hole
	Standards/Approvals	No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs	7.5 nC
	Width	5 mm

	Sélectionner tout
	Marque ROHM
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 1.6 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 800 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 3
	Package Type TO-220FM
	Automotive Standard No
	Height 29.87 mm
	Length 10.3 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 4.2 Ω
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 20 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 28 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Through Hole
	Standards/Approvals No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 7.5 nC
	Width 5 mm

Datasheet - R8002KNXC7G

The ROHM R8xxxKNx series are high-speed switching products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on high efficiency. It achieve higher efficiency via high-speed switching. High-speed switching makes it possible to contribute to higher efficiency in PFC and LLC circuits.

Low on-resistance

Ultra fast switching speed

Parallel use is easy

Pb-free plating

RoHS compliant

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