ROHM Type N-Channel MOSFET, 7 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6507KND3TL1
- N° de stock RS:
- 235-2688
- Référence fabricant:
- R6507KND3TL1
- Fabricant:
- ROHM
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,148 € | 10,74 € |
| 50 - 95 | 1,832 € | 9,16 € |
| 100 - 245 | 1,548 € | 7,74 € |
| 250 - 995 | 1,276 € | 6,38 € |
| 1000 + | 1,06 € | 5,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 235-2688
- Référence fabricant:
- R6507KND3TL1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 665mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 78W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 10.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.4mm | |
| Width | 2.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 665mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 78W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 10.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.4mm | ||
Width 2.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM R6xxxKNx series are high-speed switching products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on high efficiency. It achieve higher efficiency via high-speed switching. High-speed switching makes it possible to contribute to higher efficiency in PFC and LLC circuits.
Low on-resistance
Ultra fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating
RoHS compliant
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