ROHM R65 Type N-Channel MOSFET, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6502END3TL1
- N° de stock RS:
- 265-280
- Référence fabricant:
- R6502END3TL1
- Fabricant:
- ROHM
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| 100 - 240 | 0,545 € | 5,45 € |
| 250 - 490 | 0,504 € | 5,04 € |
| 500 - 990 | 0,464 € | 4,64 € |
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- N° de stock RS:
- 265-280
- Référence fabricant:
- R6502END3TL1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | R65 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.0Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 26W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series R65 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.0Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 26W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM MOSFET is a low noise, Super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease of use. This series products achieve superior performance for noise sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.
Pb free lead plating
RoHS compliant
Fast switching
Drive circuits can be simple
Parallel use is easy
Low on resistance
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