ROHM Type N-Channel MOSFET, 11 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6511END3TL1
- N° de stock RS:
- 235-2694
- Référence fabricant:
- R6511END3TL1
- Fabricant:
- ROHM
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- N° de stock RS:
- 235-2694
- Référence fabricant:
- R6511END3TL1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 400mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 32nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 2.4mm | |
| Height | 10.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 400mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 2.4mm | ||
Height 10.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use. This series products achieve superior performance for noise-sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.
Low on-resistance
Fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating
RoHS compliant
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