Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 71 A, 100 V, 8-Pin SO-8 ISC0805NLSATMA1

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232-6765
Référence fabricant:
ISC0805NLSATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

71A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

OptiMOS 5

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

10.7mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33nC

Maximum Power Dissipation Pd

74W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

1.2 mm

Length

6.1mm

Standards/Approvals

No

Height

5.35mm

Automotive Standard

No

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 100 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's SuperSO8 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

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