Références fabricant

Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 150 A, 100 V, 8-Pin SO-8 ISC0802NLSATMA1

N° de stock RS:: 232-6756
Référence fabricant:: ISC0802NLSATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 150 A, 100 V, 8-Pin SO-8 ISC0802NLSATMA1

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

4 200,00 €

(TVA exclue)

5 100,00 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 12 octobre 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
5000 +	0,84 €	4 200,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 232-6756
Référence fabricant:: ISC0802NLSATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	150A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	OptiMOS 5
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.8mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	73nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	6.1mm
	Height	5.35mm
	Width	1.2mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 150A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series OptiMOS 5
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.8mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 73nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 6.1mm
	Height 5.35mm
	Width 1.2mm
	Automotive Standard No

Datasheet - ISC0802NLSATMA1

The Infineon's OptiMOS PD power MOSFET 100 V, are designed targeting USB-PD and adapter applications. It's SuperSO8 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS PD features quality products in compact, lightweight packages.

Logic level availability

Excellent thermal behaviour

100% avalanche tested

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.