onsemi Isolated N-Channel SiC Power Module, 304 A, 1200 V, 36-Pin F2 NXH006P120MNF2PTG

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229-6510
Référence fabricant:
NXH006P120MNF2PTG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Channel Type

N

Product Type

SiC Power Module

Maximum Continuous Drain Current Id

304A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

F2

Mount Type

Chassis

Pin Count

36

Maximum Power Dissipation Pd

950W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

6V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

847nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Isolated

Width

57mm

Height

17mm

Standards/Approvals

Halide Free, Pb-Free, RoHS

Length

63.3mm

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package. It is typically used in solar inverter, UPS, electrical vehicle charging stations and industrial power.

Options with pre−applied thermal interface material

Options with solderable pins and press−fit pins

Pb−free

RoHS compliant

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