Infineon Dual IPG 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO IPG20N04S4L11AATMA1

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N° de stock RS:
229-1845
Référence fabricant:
IPG20N04S4L11AATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

Power Transistor

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SuperSO

Series

IPG

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

41W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

5.9 mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Length

5.15mm

Height

1mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon dual n channel logic level MOSFET is feasible for automatic optical inspection. It has 175°C operating temperature and 100 percent avalanche tested.

It is RoHS compliant and AEC Q101 qualified

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