Infineon Dual N IPG 2 Type N-Channel Power Transistor, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

1 595,00 €

(TVA exclue)

1 930,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 5 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,319 €1 595,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
229-1842
Référence fabricant:
IPG20N04S412AATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

Power Transistor

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

IPG

Package Type

SuperSO

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.19mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

41W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Transistor Configuration

Dual N

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC Q101, RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon dual n channel normal level MOSFET has same thermal and electrical performance as a DPAK with the same die size. It's exposed pad provides excellent thermal transfer. It is two n channel in one package with 2 isolated lead frames.

It is RoHS compliant and AEC Q101 qualified

It has 175°C operating temperature

Liens connexes