Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N08S413ATMA1

Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 15 unités)*

14,445 €

(TVA exclue)

17,475 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 9 855 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
15 - 600,963 €14,45 €
75 - 1350,915 €13,73 €
150 - 3600,877 €13,16 €
375 - 7350,837 €12,56 €
750 +0,78 €11,70 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
229-1833
Référence fabricant:
IPD50N08S413ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

TO-252

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

72W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

6.5mm

Height

2.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon n channel MOSFET has 175°C operating temperature and 100 percent avalanche tested.

It is RoHS compliant and AEC Q101 qualified

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.