Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N08S413ATMA1

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229-1833
Référence fabricant:
IPD50N08S413ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

72W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.3mm

Width

6.22 mm

Standards/Approvals

No

Length

6.5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon n channel MOSFET has 175°C operating temperature and 100 percent avalanche tested.

It is RoHS compliant and AEC Q101 qualified

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