Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SUM70030M-GE3
- N° de stock RS:
- 228-2985
- Référence fabricant:
- SUM70030M-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
10,90 €
(TVA exclue)
13,18 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Dernier stock RS
- 748 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,45 € | 10,90 € |
| 20 - 48 | 4,885 € | 9,77 € |
| 50 - 98 | 4,625 € | 9,25 € |
| 100 - 198 | 4,36 € | 8,72 € |
| 200 + | 4,02 € | 8,04 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 228-2985
- Référence fabricant:
- SUM70030M-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 150A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 142.4nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 150A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 142.4nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay N-Channel 100-V (D-S) MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
Liens connexes
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM90100E-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM60061EL-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SUM40014M-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SUP90100E-GE3