Références fabricant

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TO-263 SQM40022EM_GE3

N° de stock RS:: 178-3948
Référence fabricant:: SQM40022EM_GE3
Fabricant:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TO-263 SQM40022EM_GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 178-3948
Référence fabricant:: SQM40022EM_GE3
Fabricant:: Vishay Siliconix

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay Siliconix
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	150A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	TrenchFET
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	106nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	150W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.67mm
	Width	4.83mm
	Height	11.3mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay Siliconix
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 150A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series TrenchFET
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 150W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.67mm
	Width 4.83mm
	Height 11.3mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :: TW

TrenchFET® power MOSFET

Package with low thermal resistance

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