Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 150 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TO-263 SQM40022EM_GE3

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178-3948
Référence fabricant:
SQM40022EM_GE3
Fabricant:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

150A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-263

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

106nC

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.83 mm

Length

10.67mm

Height

11.3mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :
TW
TrenchFET® power MOSFET

Package with low thermal resistance

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