Références fabricant

Vishay TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 23.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8L SQJ968EP-T1_BE3

N° de stock RS:: 736-655
Référence fabricant:: SQJ968EP-T1_BE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 23.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8L SQJ968EP-T1_BE3

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N° de stock RS:: 736-655
Référence fabricant:: SQJ968EP-T1_BE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Dual N
	Maximum Continuous Drain Current Id	23.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SO-8L
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.134Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	42W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	18.5nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	1.07mm
	Length	5.13mm
	Width	6.15mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Dual N
	Maximum Continuous Drain Current Id 23.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series TrenchFET
	Package Type SO-8L
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.134Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 42W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18.5nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 1.07mm
	Length 5.13mm
	Width 6.15mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SQJ968EP-T1_BE3

Pays d'origine :: DE

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