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Vishay E N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHP6N80AE-GE3

N° de stock RS:: 228-2881
Référence fabricant:: SiHP6N80AE-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay E N-Channel MOSFET, 5 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHP6N80AE-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 228-2881
Référence fabricant:: SiHP6N80AE-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	850V
	Series	E
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	950mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	62.5W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	15nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 850V
	Series E
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 950mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 62.5W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SiHP6N80AE-GE3

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

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