Vishay E Series N-Channel MOSFET, 15 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SiHG17N80AEF-GE3
- N° de stock RS:
- 228-2866
- Référence fabricant:
- SiHG17N80AEF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- N° de stock RS:
- 228-2866
- Référence fabricant:
- SiHG17N80AEF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Series | E Series | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current (Id) | 15 A | |
| Maximum Drain Source Voltage (Vds) | 850 V | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Pin Count | 3 | |
| Package Type | TO-247AC | |
| Maximum Drain Source Resistance (Rds) | 0.305 Ω | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Series E Series | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current (Id) 15 A | ||
Maximum Drain Source Voltage (Vds) 850 V | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Pin Count 3 | ||
Package Type TO-247AC | ||
Maximum Drain Source Resistance (Rds) 0.305 Ω | ||
Mount Type Through Hole | ||
The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
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