Vishay E Type N-Channel MOSFET, 25 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263

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N° de stock RS:
228-2843
Référence fabricant:
SIHB120N60E-T5-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-263

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

120mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

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