Vishay SIHB21N80AE N channel-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB21N80AE-T5-GE3

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735-129
Référence fabricant:
SIHB21N80AE-T5-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

17.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-263

Series

SIHB21N80AE

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.205Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

0.355mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

0.42mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
IL
The Vishay Power MOSFET offers high efficiency and robust performance in power supplies, suitable for demanding applications in server and telecom environments. It is designed to optimise energy management and minimise losses.

Low effective capacitance contributing to Faster response times

Single configuration streamlines design and integration

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