Vishay SIHB21N80AE N channel-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB21N80AE-T5-GE3

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735-129
Référence fabricant:
SIHB21N80AE-T5-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

17.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

SIHB21N80AE

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.205Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

0.42mm

Width

0.355mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
IL
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