Vishay Dual N Channel Mosfet TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 13.1 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Voir l’ensemble des MOSFETs
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
N° de stock RS:
228-2826
Référence fabricant:
Si7252ADP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

13.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

18.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

100V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual N Channel Mosfet

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-Channel power MOSFET is use for DC/DC primary side switch, Telecom / server, Motor drive control and Synchronous rectification.

PWM optimized

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes