Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 65 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 020,00 €

(TVA exclue)

1 230,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 6 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,34 €1 020,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
228-2824
Référence fabricant:
SI7116BDN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

65A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

0.75mm

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-Channel power MOSFET is use for DC/DC primary side switch, Telecom / server, Motor drive control and Synchronous rectification.

Very low Qg and Qoss reduce power loss and

improve efficiency

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces

switching related power loss

Liens connexes