Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET, 62.3 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIR122LDP-T1-RE3

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225-9924
Référence fabricant:
SIR122LDP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

62.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK (8x8L)

Series

N-Channel 80 V

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

9mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

52nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

5.15 mm

Length

6.15mm

Automotive Standard

No

The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

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