Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET, 62.3 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L)

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 455,00 €

(TVA exclue)

1 761,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 3 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,485 €1 455,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
225-9922
Référence fabricant:
SIR122LDP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

62.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK (8x8L)

Series

N-Channel 80 V

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

9mΩ

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

52nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.15mm

Width

5.15 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes