Vishay Type N-Channel MOSFET, 24.7 A, 80 V PowerPAK SO-8

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

2 205,00 €

(TVA exclue)

2 667,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,735 €2 205,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
256-7420
Référence fabricant:
SIR120DP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

24.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0095Ω

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay Semiconductor N-channel 80 V (D-S) mosfet very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) its application are synchronous rectification, primary side switch, DC, DC converters, power supplies, motor drive control, battery and load switch.

TrenchFET gen IV power mosfet

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes