Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 345 A, 60 V, 8-Pin DirectFET AUIRF7749L2TR
- N° de stock RS:
- 223-8455
- Référence fabricant:
- AUIRF7749L2TR
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
13,79 €
(TVA exclue)
16,686 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 3 828 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 6,895 € | 13,79 € |
| 10 - 18 | 6,205 € | 12,41 € |
| 20 - 48 | 5,795 € | 11,59 € |
| 50 - 98 | 5,45 € | 10,90 € |
| 100 + | 5,035 € | 10,07 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 223-8455
- Référence fabricant:
- AUIRF7749L2TR
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 345A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | DirectFET | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 60 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 341W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 183nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 345A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type DirectFET | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 60 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 341W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 183nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon single N-channel HEXFET power MOSFET is designed for applications where efficiency and power density are of value. The advanced DirectFET packaging platform coupled with the latest silicon technology allows this MOSFET to offer substantial system level savings and performance improvement specifically in motor drive, DC-DC and other heavy load applications.
Advanced process technology
Exceptionally small footprint and low profile
High power density
Low parasitic parameters
Dual sided cooling
175°C Operating temperature
Lead free
RoHS compliant
Halogen free
Automotive qualified
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 9-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin DirectFET AUIRF7640S2TR
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 9-Pin DirectFET AUIRF7648M2TR
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V DirectFET
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V DirectFET