Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET, 18 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPB60R040CFD7ATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

6,49 €

(TVA exclue)

7,852 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 782 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 +3,245 €6,49 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
222-4887
Référence fabricant:
IPB60R040CFD7ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

IPA60R

Package Type

TO-220

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R040CFD7 in D2PAK package is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements. As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behaviour and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors

Best-in-class hard commutation ruggedness

Highest reliability for resonant topologies

Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off

Enabling increased power density solutions

Liens connexes