Infineon IPA60R Type N-Channel MOSFET, 20 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 222-4877
- Référence fabricant:
- IPA60R160P7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 222-4877
- Référence fabricant:
- IPA60R160P7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | IPA60R | |
| Package Type | TO-220 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 160mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series IPA60R | ||
Package Type TO-220 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)
Integrated gate resistor RG
Rugged body diode
Wide portfolio in through hole and surface mount packages
Both standard grade and industrial grade parts are available
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