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Infineon Dual FF6MR 1 N-Channel MOSFET, 250 A, 1.2 kV Enhancement AG-62MM FF6MR12KM1BOSA1

N° de stock RS:: 222-4795
Référence fabricant:: FF6MR12KM1BOSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon Dual FF6MR 1 N-Channel MOSFET, 250 A, 1.2 kV Enhancement AG-62MM FF6MR12KM1BOSA1

Sous-total (1 plateau de 10 unités)*

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N° de stock RS:: 222-4795
Référence fabricant:: FF6MR12KM1BOSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	250A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1.2kV
	Package Type	AG-62MM
	Series	FF6MR
	Mount Type	Chassis
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5.81mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	20mW
	Forward Voltage Vf	5.85V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 250A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV
	Package Type AG-62MM
	Series FF6MR
	Mount Type Chassis
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5.81mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 20mW
	Forward Voltage Vf 5.85V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet - FF6MR12KM1BOSA1

The Infineon 62 mm 1200 V, 6 mΩ half bridge module with Cool Sic™ MOSFET.

High current density

Low switching losses

Superior gate oxide reliability

Highest robustness against humidity

Robust integrated body diode, and thus optimal thermal conditions

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