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Infineon FF6MR Type N-Channel MOSFET, 150 A, 1200 V Enhancement AG-EASY2B FF6MR20W2M1HB70BPSA1

N° de stock RS:: 351-916
Référence fabricant:: FF6MR20W2M1HB70BPSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon FF6MR Type N-Channel MOSFET, 150 A, 1200 V Enhancement AG-EASY2B FF6MR20W2M1HB70BPSA1

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N° de stock RS:: 351-916
Référence fabricant:: FF6MR20W2M1HB70BPSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	150A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	AG-EASY2B
	Series	FF6MR
	Mount Type	Through Hole
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	20mW
	Forward Voltage Vf	5.35V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	23V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	48mm
	Standards/Approvals	IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747
	Length	62.8mm
	Height	12.255mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 150A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type AG-EASY2B
	Series FF6MR
	Mount Type Through Hole
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 20mW
	Forward Voltage Vf 5.35V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 23V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 48mm
	Standards/Approvals IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747
	Length 62.8mm
	Height 12.255mm
	Automotive Standard No

Datasheet - FF6MR20W2M1HB70BPSA1

The Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET half-bridge module 2000 V, 6 mΩ with NTC temperature sensor, Press FIT Contact Technology and aluminum nitride ceramic.

Best in Class packages with 12mm height

Leading edge WBG material

Very low module stray inductance

Press FIT pins

Integrated NTC temperature sensor

Wide gate source voltage range

Low switching & conduction losses

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