Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 81 A, 20 V Enhancement, 2-Pin DirectFET IRF6636TRPBF

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

16,07 €

(TVA exclue)

19,44 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 11 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 401,607 €16,07 €
50 - 901,526 €15,26 €
100 - 2401,463 €14,63 €
250 - 4901,398 €13,98 €
500 +1,301 €13,01 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
222-4739
Référence fabricant:
IRF6636TRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

81A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

HEXFET

Package Type

DirectFET

Mount Type

Surface

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

42W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18nC

Length

4.85mm

Height

0.68mm

Standards/Approvals

No

Width

3.95 mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced Direct FETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of an SO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes.

100% Rg tested Low Conduction and Switching Losses

Ultra Low Package Inductance Ideal for CPU Core DC-DC Converters

Liens connexes