Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 6 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R900P7SAKMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 20 unités)*

10,84 €

(TVA exclue)

13,12 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 4 480 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
20 - 800,542 €10,84 €
100 - 1800,417 €8,34 €
200 - 4800,39 €7,80 €
500 - 9800,364 €7,28 €
1000 +0,336 €6,72 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
222-4715
Référence fabricant:
IPSA70R900P7SAKMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Series

CoolMOS

Package Type

TO-251

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

900mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.8nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

30.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.6mm

Standards/Approvals

No

Width

2.38 mm

Height

6.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.

Product validation acc. JEDEC Standard

Low switching losses (Eoss)

Integrated ESD protection diode

Excellent thermal behaviour

Liens connexes