Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R1K4P7SAKMA1

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222-4709
Référence fabricant:
IPSA70R1K4P7SAKMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

TO-251

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.7nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

22.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.6mm

Width

2.38 mm

Height

6.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.

Product validation acc. JEDEC Standard

Low switching losses (Eoss)

Integrated ESD protection diode

Excellent thermal behaviour

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