Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 8.5 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IPSA70R600P7SAKMA1
- N° de stock RS:
- 222-4713
- Référence fabricant:
- IPSA70R600P7SAKMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,742 € | 14,84 € |
| 100 - 180 | 0,579 € | 11,58 € |
| 200 - 480 | 0,542 € | 10,84 € |
| 500 - 980 | 0,505 € | 10,10 € |
| 1000 + | 0,467 € | 9,34 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 222-4713
- Référence fabricant:
- IPSA70R600P7SAKMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Series | CoolMOS | |
| Package Type | TO-251 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 600mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43.1W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.6mm | |
| Width | 2.38 mm | |
| Height | 6.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Series CoolMOS | ||
Package Type TO-251 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 43.1W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.6mm | ||
Width 2.38 mm | ||
Height 6.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.
Product validation acc. JEDEC Standard
Low switching losses (Eoss)
Integrated ESD protection diode
Excellent thermal behaviour
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