Infineon CoolMOS N-Channel MOSFET, 9.4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R1K2P7SATMA1
- N° de stock RS:
- 222-4687
- Référence fabricant:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,75 € | 18,75 € |
| 125 - 225 | 0,563 € | 14,08 € |
| 250 - 600 | 0,533 € | 13,33 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 222-4687
- Référence fabricant:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | CoolMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 6.3W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.7mm | |
| Height | 1.8mm | |
| Width | 3.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series CoolMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 6.3W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.7mm | ||
Height 1.8mm | ||
Width 3.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.
Product validation acc. JEDEC Standard
Low switching losses (Eoss) Integrated ESD protection diode
Excellent thermal behaviour
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