Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 9.4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN70R1K2P7SATMA1

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222-4687
Référence fabricant:
IPN70R1K2P7SATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Series

CoolMOS

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

6.3W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.8nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.7mm

Standards/Approvals

No

Width

3.7 mm

Height

1.8mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.

Product validation acc. JEDEC Standard

Low switching losses (Eoss) Integrated ESD protection diode

Excellent thermal behaviour

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