Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 9.4 A, 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223

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222-4686
Référence fabricant:
IPN70R1K2P7SATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

SOT-223

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.8nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

6.3W

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.7 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.8mm

Length

6.7mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.

Product validation acc. JEDEC Standard

Low switching losses (Eoss) Integrated ESD protection diode

Excellent thermal behaviour

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