Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 11.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB65R310CFDAATMA1

Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
Options de conditionnement :
N° de stock RS:
222-4660
Référence fabricant:
IPB65R310CFDAATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-263

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

310mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon design of Cool MOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V Cool MOS™ C7 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The 600V C7 is the first technology ever with RDS(on)*A below 1Ohm*mm².

AEC Q101 qualified

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.