Références fabricant

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 37 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R080P7ATMA1

N° de stock RS:: 217-2504
Référence fabricant:: IPB60R080P7ATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 37 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R080P7ATMA1

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

18,54 €

(TVA exclue)

22,435 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

En stock

510 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 5	3,708 €	18,54 €
10 - 20	3,264 €	16,32 €
25 - 45	3,076 €	15,38 €
50 - 120	2,856 €	14,28 €
125 +	2,632 €	13,16 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 217-2504
Référence fabricant:: IPB60R080P7ATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	37A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	CoolMOS
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	80mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	129W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	51nC
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	9.45 mm
	Length	10.31mm
	Height	4.57mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 37A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series CoolMOS
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 129W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 9.45 mm
	Length 10.31mm
	Height 4.57mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPB60R080P7ATMA1

The Infineon 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

600V P7 enables excellent FOM R DS(on)xE oss DS(on)xQ G

ESD ruggedness of ≥ 2kV (HBM class 2)

Integrated gate resistor R G

Rugged body diode

Wide portfolio in through hole and surface mount packages

Both standard grade and industrial grade parts are available

Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 37 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R080P7ATMA1

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Liens connexes