Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 171 A, 150 V TO-247
- N° de stock RS:
- 258-0630
- Référence fabricant:
- AUIRFP4568-E
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-0630
- Référence fabricant:
- AUIRFP4568-E
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 171A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 171A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon automotive grade is specifically designed for automotive applications, this HEXFET power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Advanced Planar Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
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