DiodesZetex DMT N-Channel MOSFET, 16.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin VDFN DMT64M8LCG-7
- N° de stock RS:
- 222-2881
- Référence fabricant:
- DMT64M8LCG-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
8,80 €
(TVA exclue)
10,60 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 1 350 unité(s) expédiée(s) à partir du 21 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,88 € | 8,80 € |
| 50 - 90 | 0,86 € | 8,60 € |
| 100 - 240 | 0,673 € | 6,73 € |
| 250 - 990 | 0,622 € | 6,22 € |
| 1000 + | 0,606 € | 6,06 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 222-2881
- Référence fabricant:
- DMT64M8LCG-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 16.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | VDFN | |
| Series | DMT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.16W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Height | 3.3mm | |
| Width | 0.8mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 16.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type VDFN | ||
Series DMT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.16W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Height 3.3mm | ||
Width 0.8mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The DiodesZetex N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON) yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in Notebook battery power management and load switch.
High Conversion Efficiency
Low RDS(ON)—Minimizes On State Losses
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
ESD Protected Gate
Liens connexes
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin VDFN
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333 DMT6008LFG-7
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin UDFN DMT6030LFCL-7
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333 DMT6015LFVW-7
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333 DMT6007LFG-7
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333