DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET, 31.8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333 DMT6015LFVW-7

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 25 unités)*

9,15 €

(TVA exclue)

11,075 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 1 675 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
25 - 250,366 €9,15 €
50 - 750,358 €8,95 €
100 - 2250,255 €6,38 €
250 - 9750,249 €6,23 €
1000 +0,162 €4,05 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
222-2877
Référence fabricant:
DMT6015LFVW-7
Fabricant:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

31.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerDI3333

Series

DMT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

16mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15.7nC

Maximum Power Dissipation Pd

28.4W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.05mm

Width

0.8 mm

Height

3.3mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The DiodesZetex N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.

Low on-resistance

Small form factor thermally efficient package enables higher density end products

Wettable flank for improved optical inspection

Liens connexes