DiodesZetex Dual DMT Type N-Channel MOSFET, 10.6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin VDFN-3030 DMT3009UDT-7

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222-2868
Référence fabricant:
DMT3009UDT-7
Fabricant:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

VDFN-3030

Series

DMT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.011Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.6nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

16W

Forward Voltage Vf

0.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

The DiodesZetex Dual n-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Ultra Low Gate Threshold Voltage

Low On-Resistance

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

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