DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET, 16.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin VDFN

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

1 014,00 €

(TVA exclue)

1 226,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 29 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2000 +0,507 €1 014,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
222-2880
Référence fabricant:
DMT64M8LCG-7
Fabricant:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

16.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

DMT

Package Type

VDFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

47.5nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.16W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

3.3mm

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Width

0.8 mm

Automotive Standard

No

The DiodesZetex N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON) yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in Notebook battery power management and load switch.

High Conversion Efficiency

Low RDS(ON)—Minimizes On State Losses

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

ESD Protected Gate

Liens connexes