onsemi NTB5D0N N-Channel MOSFET, 139 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NTB5D0N15MC
- N° de stock RS:
- 221-6694
- Référence fabricant:
- NTB5D0N15MC
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
27,48 €
(TVA exclue)
33,25 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 760 unité(s) expédiée(s) à partir du 21 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 5,496 € | 27,48 € |
| 50 - 95 | 4,738 € | 23,69 € |
| 100 + | 4,106 € | 20,53 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 221-6694
- Référence fabricant:
- NTB5D0N15MC
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 139A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | NTB5D0N | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 75nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 214W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.83mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 15.88mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 139A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series NTB5D0N | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 75nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 214W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.83mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 15.88mm | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor 150V of power MOSFET used 139 A of drain current used with single N−channel. It produced using an advanced power trench process that incorporates shielded gate technology. It has industry lowest Qrr and softest body-diode for superior low noise switching.
Max RDS(on) 5.0 m at VGS at 10V
50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
Lowers switching noise/EMI
100% UIL tested
Liens connexes
- onsemi NTB5D0N Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi NTB7D Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 4-Pin TO-263
- onsemi NTB01 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 4-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263