Références fabricant

onsemi NTB01 N-Channel MOSFET, 75.4 A, 150 V Enhancement, 4-Pin TO-263 NTB011N15MC

N° de stock RS:: 230-9077
Référence fabricant:: NTB011N15MC
Fabricant:: onsemi

onsemi NTB01 N-Channel MOSFET, 75.4 A, 150 V Enhancement, 4-Pin TO-263 NTB011N15MC

Sous-total (1 bobine de 800 unités)*

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N° de stock RS:: 230-9077
Référence fabricant:: NTB011N15MC
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	75.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	TO-263
	Series	NTB01
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	37nC
	Maximum Power Dissipation Pd	136.4W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Width	4.83mm
	Height	15.88mm
	Length	10.67mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 75.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type TO-263
	Series NTB01
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC
	Maximum Power Dissipation Pd 136.4W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Width 4.83mm
	Height 15.88mm
	Length 10.67mm
	Automotive Standard No

Datasheet - NTB011N15MC

The ON Semiconductor MOSFET - N-channel shielded gate power trench MOSFET which has drain to source voltage of 150 V.

Optimized Switching performance

Max RDS(on) = 10.9 mΩ at VGS = 10 V, ID = 75.4 A

Industry’s Lowest Qrr and softest Body-Diode for superior low noise switching

50% Lower Qrr than other MOSFET Suppliers

High efficiency with lower switching spike and EMI

Lowers Switching Noise/EMI

Improved switching FOM particularly Qgd

100% UIL Tested

No need or less snubber

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