Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode, 180 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB019N08N3GATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

4,10 €

(TVA exclue)

4,96 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 934 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 +2,05 €4,10 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
220-7376
Référence fabricant:
IPB019N08N3GATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

OptiMOS 3

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).

Optimized technology for DC-DC converters

Excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM)

Superior thermal resistance

Dual sided cooling

Low parasitic inductance

Low profile (<0,7mm)

N-channel, normal level

Liens connexes