Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 170 A, 75 V, 3-Pin TO-263 IRFS3207ZTRRPBF
- N° de stock RS:
- 217-2632
- Référence fabricant:
- IRFS3207ZTRRPBF
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 50 - 120 | 3,982 € | 19,91 € |
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- N° de stock RS:
- 217-2632
- Référence fabricant:
- IRFS3207ZTRRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 170A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.1mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.65mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 170A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.1mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.65mm | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package.
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Lead-Free
RoHS Compliant, Halogen-Free
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