Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 170 A, 75 V, 3-Pin TO-263 IRF2907ZSTRLPBF

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214-4446
Référence fabricant:
IRF2907ZSTRLPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

170A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.5mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

270nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It has fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.

It is Lead-free

It is capable of being wave soldered

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