Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 20 A, 55 V, 3-Pin TO-252 IRLR9343TRPBF
- N° de stock RS:
- 214-4474
- Référence fabricant:
- IRLR9343TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,573 € | 11,46 € |
| 100 - 180 | 0,544 € | 10,88 € |
| 200 - 480 | 0,533 € | 10,66 € |
| 500 - 980 | 0,498 € | 9,96 € |
| 1000 + | 0,464 € | 9,28 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4474
- Référence fabricant:
- IRLR9343TRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 170mΩ | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 79W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 170mΩ | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 79W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon Digital Audio HEXFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
It has repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability
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